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IXTA3N110中文资料

IXTA3N110图片

IXTA3N110外观图

  • 大小：102.19KB
  • 厂家：IXYS [IXYS Corporation]
  • 描述：High Voltage Power MOSFETs
  • 标准包装：50
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：1100V（1.1kV）
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：4 欧姆 @ 1.5A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：42nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1350pF @ 25V
  • 功率 - 最大：200W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商设备封装：TO-263
  • 包装：管件

IXTA3N110供应商

更新时间:2023-01-28 04:03:49
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